哈尔滨工业大学2015博士招生半导体物理大纲及参考书目
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课程名称：半导体物理
一、考试要求
要求考生系统地掌握半导体物理的基本概念和基本原理，并能灵活运用，并具有较强的分析问题和解决问题的能力。
二、考试内容
1.晶态半导体中能带理论
(1) 一维周期性势场中电子能量状态(Kronig-Penney模型)
(2) 紧束缚近似的能带表述和有效质量
(3) 三维周期性势场中电子能量状态
(4) 半导体中杂质能级、回旋共振与半导体复杂能带
2.载流子的平衡态统计分布
(1) 状态密度
(2) 费米分布函数、载流子密度分布
(3) 非简并情况下的费米能级和载流子密度分布
(4) 杂质补偿、重掺简并
3.载流子的输运现象
(1) 电导率、迁移率
(2) 载流子的散射机构
(3) 霍尔效应
(4) 热电效应
4.外界作用引起额外载流子的行为
(1) 载流子的注入与复合过程
(2) 漂移-扩散-复合方程及其解
(3) 稳态建立过程中的少子运动
(4) 光致p-n结非平衡
5.半导体表面、金属-半导体接触
(1) 表面晶格结构及表面电子态
(2) 研究表面的主要实验方法
(3) 金属-半导体接触的势垒模型
(4) 金属-半导体接触的整流理论及势垒高度的测量
6.异质结、量子阱及超晶格
(1) 异质结的电流输运机构
(2) 异质结在器件中的应用
(3) 量子阱与二维电子气
(4) 多量子阱与超晶格的一般概念
三、试卷结构
考试时间180分钟，满分100分
1.题型结构
(1) 概念及简答题，40%
(2) 论述题，60%
2.内容结构
(1) 晶态半导体中能带理论(20%)
(2) 载流子的平衡态统计分布(10%)
(3) 载流子的输运现象(20%)
(4) 外界作用引起额外载流子的行为(20%)
(5) 半导体表面、金属-半导体接触(10%)
(6) 异质结、量子阱及超晶格(20%)
四、参考书目
(1)《半导体物理》高等教育出版社 钱佑华、徐至中编著 1999.06.
(2)《半导体物理学》科学出版社 李名復著 1991.02.
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